大工2211批次《高電壓技術(shù)》在線(xiàn)作業(yè)1-00001

試卷總分:100  得分:100

一、單選題 (共 10 道試題,共 50 分)

1.當(dāng)氣體成分和電極材料一定時(shí),氣體間隙擊穿電壓是()的函數(shù)。

A.氣壓和間隙距離乘積

B.氣壓和間隙距離比值

C.溫度和間隙距離乘積

D.氣壓和間隙距離之和

2.下列說(shuō)法正確的是()。

A.在電場(chǎng)的作用下，由電介質(zhì)組成的絕緣間隙喪失絕緣性能形成導(dǎo)電通道的現(xiàn)象稱(chēng)為擊穿

B.擊穿電壓是指使絕緣擊穿的最高臨界電壓

C.發(fā)生擊穿時(shí)在絕緣中的最大平均電場(chǎng)強(qiáng)度叫做擊穿場(chǎng)強(qiáng)

D.以上說(shuō)法都正確

3.當(dāng)氣體分子受到光輻射作用時(shí),如果光的能量大于氣體原子的電離能時(shí),就有可能引起()。

A.表面電離

B.光電離

C.熱電離

D.碰撞電離

4.下列屬于極不均勻電場(chǎng)特性的是()。

A.極不均勻電場(chǎng)的擊穿電壓比均勻電場(chǎng)低

B.極不均勻電場(chǎng)如果是不對(duì)稱(chēng)電極，則放電有極性效應(yīng)

C.極不均勻電場(chǎng)具有特殊的放電形式電暈放電

D.以上選項(xiàng)都屬于

5.下列關(guān)于湯遜理論說(shuō)法不正確的是()。

A.湯遜理論認(rèn)為自持放電是氣體間隙擊穿的必要條件

B.湯遜理論認(rèn)為電子空間碰撞電離是電離主要因素

C.湯遜理論認(rèn)為負(fù)離子碰撞陽(yáng)極產(chǎn)生的表面電離是電離主要因素

D.湯遜理論適用于低氣壓短間隙

6.每個(gè)碰撞陰極的正離子,使陰極金屬表面平均釋放出的自由電子數(shù)稱(chēng)為()。

A.α系數(shù)

B.β系數(shù)

C.γ系數(shù)

D.μ系數(shù)

7.下列關(guān)于流注理論說(shuō)法不正確的是()。

A.流注理論考慮了空間電離對(duì)電場(chǎng)的影響

B.流注理論考慮了空間光電離作用的影響

C.流注理論認(rèn)為二次電子的主要來(lái)源是表面電離

D.形成流注后，放電就可以由本身產(chǎn)生的空間光電離自行維持

8.湯遜理論的適用范圍是()。

A.低氣壓長(zhǎng)間隙

B.高氣壓短間隙

C.高氣壓長(zhǎng)間隙

D.低氣壓短間隙

9.發(fā)生()時(shí)只產(chǎn)生電子,沒(méi)有正離子出現(xiàn)。

A.表面電離

B.光電離

C.熱電離

D.碰撞電離

10.()是極不均勻電場(chǎng)具有的特殊放電形式。

A.電暈放電

B.火花放電

C.沿面放電

D.閃絡(luò)

二、判斷題 (共 10 道試題,共 50 分)

11.當(dāng)氣體成分和電極材料一定時(shí),氣體間隙的擊穿電壓隨距離增大而增大。

12.表面電離是氣體產(chǎn)生帶電粒子的最重要形式。

13.要維持自持放電,需新產(chǎn)生的電子數(shù)少于初始撞擊用的電子數(shù)。

14.在其他大氣條件不變的情況下,氣壓增大時(shí),間隙的擊穿電壓降低。

15.當(dāng)氣體成分和電極材料一定時(shí),氣體間隙擊穿電壓是氣壓和間隙距離乘積的函數(shù)。

16.光電離是氣體產(chǎn)生帶電粒子的最重要形式。

17.采用強(qiáng)電負(fù)性氣體,利用其對(duì)電子的強(qiáng)附著效應(yīng)可以減弱碰撞電離過(guò)程。

18.流注理論認(rèn)為電子碰撞電離和空間光電離是維持自持放電的主要因素。

19.稍不均勻電場(chǎng)一旦出現(xiàn)局部放電,會(huì)立即導(dǎo)致整個(gè)間隙的完全擊穿。

20.湯遜理論和流注理論可以互相替代。

奧鵬，國(guó)開(kāi)，廣開(kāi)，電大在線(xiàn)，各省平臺(tái)，新疆一體化等平臺(tái)學(xué)習(xí)
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