大工22秋《電力電子技術(shù)》在線作業(yè)1

共20道題 總分：100分

一、單選題(共6題，30分)

1.（ ）是電力電子裝置中最有效、應(yīng)用最廣的一種過電流保護(hù)措施，常與電力電子器件直接串聯(lián)。

A、交流斷路器

B、快速熔斷器

C、直流快速斷路器

D、快速短路器

2.靜電感應(yīng)晶體管的英文縮寫是（ ）。

A、PIC

B、IGCT

C、SITH

D、SIT

3.下列不是晶閘管的主要參數(shù)的選項(xiàng)是（ ）。

A、額定電壓

B、額定電流

C、靜態(tài)參數(shù)

D、維持電流

4.（ ）的英文縮寫是GTR。

A、電力二極管

B、門極可關(guān)斷晶閘管

C、電力晶體管

D、電力場效應(yīng)晶體管

5.使電力MOSFET導(dǎo)通的柵源驅(qū)動(dòng)電壓一般?。?）V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

6.控制極信號能控制器件的導(dǎo)通，但不能控制其關(guān)斷，器件的關(guān)斷完全由其承受的電壓和電流決定，這樣的電力電子器件稱為（ ）。

A、半控型器件

B、全控型器件

C、不可控器件

D、自關(guān)斷器件

二、多選題(共6題，30分)

1.硒堆保護(hù)有下列哪幾種接法？（ ）

A、單相聯(lián)結(jié)

B、單相懸空聯(lián)結(jié)

C、三相Y聯(lián)結(jié)

D、三相三角聯(lián)結(jié)

2.下列是常用的過電流保護(hù)措施的是（ ）。

A、快速熔斷器

B、直流快速斷路器

C、過電流繼電器

D、其它選項(xiàng)都不正確

3.采用性能良好的驅(qū)動(dòng)電路，可使電力電子器件工作在較理想的開關(guān)狀態(tài)，會帶來下列哪些優(yōu)點(diǎn)？（ ）

A、縮短開關(guān)時(shí)間

B、拉長開關(guān)時(shí)間

C、減小開關(guān)損耗

D、增大開關(guān)損耗

4.GTR的主要特性是（ ）。

A、耐壓低  

B、耐壓高

C、電流大

D、電流小

5.下列不是電力電子器件并聯(lián)均流措施的是（ ）。

A、盡量采用特性一致的元器件進(jìn)行并聯(lián)

B、盡量采用特性不一致的元器件進(jìn)行并聯(lián)

C、安裝時(shí)盡量使各并聯(lián)器件具有對稱的位置

D、安裝時(shí)不能使各并聯(lián)器件具有對稱的位置

6.當(dāng)器件導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)，串聯(lián)使用的器件的（ ）和（ ）存在差異，這種差異引起的不均壓問題稱為動(dòng)態(tài)不均壓問題。

A、靜態(tài)參數(shù)

B、動(dòng)態(tài)參數(shù)

C、特性

D、指標(biāo)

三、判斷題(共8題，40分)

1.IGBT集GTR和電力MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體。

A、錯(cuò)誤

B、正確

2.維持電流指使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流。

A、錯(cuò)誤

B、正確

3.晶閘管在導(dǎo)通和關(guān)斷頻率較高時(shí)，不必考慮時(shí)間的影響。

A、錯(cuò)誤

B、正確

4.集成門極換流晶閘管的英文縮寫是IGCT。

A、錯(cuò)誤

B、正確

5.GTR是電壓驅(qū)動(dòng)型自關(guān)斷全控器件。

A、錯(cuò)誤

B、正確

6.電力MOSFET可直接并聯(lián)使用。

A、錯(cuò)誤

B、正確

7.電力電子裝置運(yùn)行不正常或者發(fā)生故障時(shí)，可能會發(fā)生過電流。

A、錯(cuò)誤

B、正確

8.阻容吸收電路由電容和電阻串聯(lián)而成，電阻具有儲能作用。

A、錯(cuò)誤

B、正確

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